IRFH5210TRPBF

1.Laer Geleidingsverliese
2. Maak beter termiese dissipasie moontlik
3.Verhoogde betroubaarheid
4.Verhoogde kragdigtheid
5.Multi-Verskaffer-versoenbaarheid
6. Makliker Vervaardiging
7.Omgewingsvriendeliker
8.Verhoogde betroubaarheid

Vervaardigeronderdeelnommer:IRFH9310TRPBF
Vervaardiger / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Deel van beskrywing: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Loodvry ​​Status / RoHS-status: Loodvry ​​/ RoHS-voldoen
Voorraadtoestand: Nuwe oorspronklike, 12000 stuks Voorraad beskikbaar.
Verskeep vanaf: Hong Kong
Versending manier: DHL/Fedex/TNT/UPS
Produkkenmerk Attribuutwaarde Kies Kenmerk
Onderdeelnommer IRFH9310TRPBF
Vervaardiger / handelsmerk internasionale gelykrigter (Infineon Technologies)
Voorraad Hoeveelheid 12000 stuks Voorraad
Kategorie Diskrete halfgeleierprodukte > Transistors - FET's, MOSFET's - Enkel
Beskrywing MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Loodvry ​​Status / RoHS-status: Loodvry ​​/ RoHS-voldoen
Breedte - Binne -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning/stroom – Uitset 1 PQFN (5x6)
Toleransie 5250pF @ 15V
Stert Tipe P-kanaal
Staphoek MOSFET (metaaloksied)
Krimp temperatuur Infineon Technologies
SFP/XFP Tipe ±20V
Afstandsvermoë HEXFET®
Pitch - Kabel Oppervlakte Mount
Ander name Loodvry ​​/ RoHS-voldoen
Ander name 1
Ossillator Tipe 8-PowerVDFN
Aantal DAC's 30V
Minimum vloeistof spesifieke swaartekrag -
Paroriëntasie 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Vervaardiger-onderdeelnommer IRFH9310TRPBFDKR-ND
Lengte - Vat Digi-Reel®
Lampkleur 4,5V, 10V
Hoë syspanning - maksimum (bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funksie 58nC @ 4.5V
Spoelkrag aktief
Kanaalkapasitansie (CS(af), CD(af)) 3.1W (Ta)
Kaartleser Tipe 2.4V @ 100µA
Kenmerke en Voordele
Kenmerke gevolglike voordele
Lae RDSon (≤ 4.6mΩ) Laer geleidingsverliese
Nywerheidstandaard PQFN-pakket met meervoudige verskaffer-versoenbaarheid
RoHS-voldoening Bevat geen lood, geen bromied en geen halogeen omgewingsvriendeliker
resultate in
Let wel
Vorm Hoeveelheid
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm band en spoel 4000
Bestelbare onderdeelnommer Pakkettipe Standaardpak
VDS -30 V
RDS(aan) maks
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipies) 110 nC
RG (tipies) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolute Maksimum Graderings
Parameter Eenhede
VDS drein-tot-bron spanning
VGS hek-tot-bron spanning
ID @ TA = 25°C Deurlopende dreineerstroom, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Deurlopende dreineerstroom, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Deurlopende dreineerstroom, VGS @ -10V (Silicon Beperk)
ID @ TC = 70°C Deurlopende dreineerstroom, VGS @ -10V (Silicon Beperk)
ID @ TC = 25°C Deurlopende dreineerstroom, VGS @ -10V (Pakket Beperk)
IDM gepulseerde dreinstroom
PD @TA = 25°C Kragdissipasie
PD @ TA = 70°C Kragdissipasie
Lineêre deratingfaktor W/°C
TJ Operating Junction en
TSTG bergingstemperatuurreeks
Herhalende gradering;polswydte beperk deur maks.aansluiting temperatuur.
Begin TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Polswydte ≤ 400µs;dienssiklus ≤ 2%.
Wanneer dit op 1 duim vierkantige koperbord gemonteer is.
Rθ word gemeet by TJ van ongeveer 90°C.
SLEGS vir ONTWERPHULP, nie onderhewig aan produksietoetsing nie.